STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 119 A 656 W, 4-Pin Hip-247

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RS Best.-Nr.:
213-3943
Herst. Teile-Nr.:
SCTWA90N65G2V-4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

119A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

Hip-247

Serie

SCTWA90N65G2V-4

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

24mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

656W

Durchlassspannung Vf

2.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

157nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Breite

21.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

5.1mm

Länge

15.9mm

Automobilstandard

Nein

The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

High speed switching performance

Very high operating junction temperature capability

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

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