STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 119 A 656 W, 4-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 213-3945
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA90N65G2V-4
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 119A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SCTWA90N65G2V-4 | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 24mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 656W | |
| Durchlassspannung Vf | 2.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 157nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Breite | 21.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.9mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 119A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SCTWA90N65G2V-4 | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 24mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 656W | ||
Durchlassspannung Vf 2.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 157nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Breite 21.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.9mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
High speed switching performance
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency
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