STMicroelectronics SCTWA35N65G2V N-Kanal, Durchsteckmontage SiC-Leistungsmodul 650 V Erweiterung / 45 A 240 W, 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
204-3959
Herst. Teile-Nr.:
SCTWA35N65G2V
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

SiC-Leistungsmodul

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SCTWA35N65G2V

Gehäusegröße

Hip-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.072Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

3.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

240W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73nC

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.1mm

Länge

15.9mm

Höhe

41.2mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation von Einschaltwiderstand und Schaltverlusten ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.

Niedrige Kapazität

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Sehr enge Variation des Einschaltwiderstands vs Temperatur

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