STMicroelectronics N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 45 A 270 W, 3-Pin HiP247

RS Best.-Nr.:: 168-8966
Herst. Teile-Nr.:: SCT30N120
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 45 A 270 W, 3-Pin HiP247

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RS Best.-Nr.:: 168-8966
Herst. Teile-Nr.:: SCT30N120
Marke:: STMicroelectronics

SCT30N120, Silicon Carbide Power MOSFET 45A, 1200V, 90mOhm N-Channel in HiP247
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	45 A
Drain-Source-Spannung max.	1200 V
Gehäusegröße	HiP247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	100 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Verlustleistung max.	270 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–10 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	15.75mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+200 °C
Breite	5.15mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	105 nC @ 20 V
Diodendurchschlagsspannung	3.5V
Höhe	20.15mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

STMicroelectronics N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 45 A 270 W, 3-Pin HiP247

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N-Kanal MOSFET aus Siliziumkarbid (SiC), STMicroelectronics

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