STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 60 A 389 W, 3-Pin Hip-247

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RS Best.-Nr.:
239-5529
Herst. Teile-Nr.:
SCTW60N120G2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCT

Gehäusegröße

Hip-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

73mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

389W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

18 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

94nC

Durchlassspannung Vf

3V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Länge

34.8mm

Höhe

5mm

Breite

15.6 mm

Normen/Zulassungen

UL

Automobilstandard

AEC-Q101

Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur. Er kann in Schaltnetzteilen, DC/DC-Wandlern und in der industriellen Motorsteuerung verwendet werden.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität

Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle

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