STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 208 W, 7-Pin H2PAK
- RS Best.-Nr.:
- 224-9999
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH35N65G2V-7AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
14,52 €
(ohne MwSt.)
17,28 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 8 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Nur noch Restbestände
- Letzte 38 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | 14,52 € |
| 5 - 9 | 13,79 € |
| 10 - 24 | 12,89 € |
| 25 - 49 | 12,58 € |
| 50 + | 12,25 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 224-9999
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH35N65G2V-7AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | H2PAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 67mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 3.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 15.25mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.8 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße H2PAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 67mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 3.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 15.25mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.8 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz
Verwandte Links
- STMicroelectronics Typ N-Kanal 7-Pin H2PAK
- STMicroelectronics SCTH35 N-Kanal 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics N-Kanal STH65N Typ N-Kanal 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal 7-Pin H2PAK
- STMicroelectronics IGBT / 108 A ±20V max. 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCTH90 Typ N-Kanal 7-Pin H2PAK
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal 7-Pin H2PAK-7