Semikron / 150 A Halbbrücke, 1200 V
- RS Best.-Nr.:
- 248-6695
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM150GB12F4
- Marke:
- Semikron
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- RS Best.-Nr.:
- 248-6695
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM150GB12F4
- Marke:
- Semikron
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semikron | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 150A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Konfiguration | Halbbrücke | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 15.0 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semikron | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 150A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Konfiguration Halbbrücke | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 15.0 V | ||
Die IGBT-Module der Serie SEMITRANS von Semikron haben eine Spannung von 1200 V zwischen Kollektor und Emitter. Es wird hauptsächlich in USV, elektronischen Schweißgeräten, induktiven Heizungen und Schaltnetzteilen eingesetzt.
Erhöhte Leistungszyklusfähigkeit
Isolierte Kupfer-Sockelplatte mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper)
Für höhere Schaltfrequenzen über 15 kHz