Semikron IGBT-Transistormodul / 150 A ±15.0V max. Dual, 1200 V
- RS Best.-Nr.:
- 248-6695
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM150GB12F4
- Marke:
- Semikron
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 248-6695
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM150GB12F4
- Marke:
- Semikron
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semikron | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 150 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±15.0V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Konfiguration | Halbbrücke | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semikron | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 150 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±15.0V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Konfiguration Halbbrücke | ||
Die IGBT-Module der Serie SEMITRANS von Semikron haben eine Spannung von 1200 V zwischen Kollektor und Emitter. Sie werden hauptsächlich in USV, elektronischen Schweißgeräten, induktiven Heizgeräten und Schaltnetzteilen eingesetzt.
Erhöhte Fähigkeit zum Leistungswechsel
Isolierte Kupfer-Grundplatte mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper)
Für höhere Schaltfrequenzen über 15 kHz
Isolierte Kupfer-Grundplatte mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper)
Für höhere Schaltfrequenzen über 15 kHz