Semikron Danfoss / 200 A Halbbrücke, 1200 V
- RS Best.-Nr.:
- 248-6700
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM200GB12F4
- Marke:
- Semikron Danfoss
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
240,83 €
(ohne MwSt.)
286,59 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 1 | 240,83 € |
| 2 - 3 | 216,75 € |
| 4 - 5 | 195,07 € |
| 6 - 7 | 175,57 € |
| 8 + | 158,01 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 248-6700
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM200GB12F4
- Marke:
- Semikron Danfoss
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semikron Danfoss | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 200A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Konfiguration | Halbbrücke | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 15.0 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semikron Danfoss | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 200A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Konfiguration Halbbrücke | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 15.0 V | ||
Die IGBT-Module der Serie SEMITRANS von Semikron haben eine Spannung von 1200 V zwischen Kollektor und Emitter. Es wird hauptsächlich in USV, elektronischen Schweißgeräten, induktiven Heizungen und Schaltnetzteilen eingesetzt.
Erhöhte Leistungszyklusfähigkeit
Isolierte Kupfer-Sockelplatte mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper)
Für höhere Schaltfrequenzen über 15 kHz
Verwandte Links
- Semikron Danfoss IGBT-Transistormodul / 200 A ±15.0V max. Dual, 1200 V
- Semikron Danfoss IGBT-Transistormodul / 300 A ±15.0V max. Dual, 1200 V
- Semikron Danfoss IGBT-Transistormodul / 75 A ±15.0V max. Dual, 1200 V
- Semikron Danfoss IGBT-Transistormodul / 400 A ±15.0V max. , 1200 V
- Semikron Danfoss IGBT-Transistormodul / 100 A ±15.0V max. , 1200 V
- Semikron IGBT-Transistormodul / 150 A ±15.0V max. Dual, 1200 V
- Semikron IGBT-Transistormodul / 100 A ±15.0V max. Dual, 1200 V
- Semikron Danfoss IGBT-Modul / 422 A 20V max. Dual, 1200 V N-Kanal