Infineon IGBT-Modul / 750 A ±20V max. Dual, 1700 V 20 mW
- RS Best.-Nr.:
- 250-0225
- Herst. Teile-Nr.:
- FF750R17ME7DB11BPSA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 750 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1700 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Verlustleistung max. | 20 mW | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 750 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1700 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Verlustleistung max. 20 mW | ||
Das zweifache TRENCHSTOPTM IGBT7-Modul Infineon EconoDUALTM 3 1700 V, 750 A mit erweiterter Emittergesteuerter 7-Diode, NTC und PressFIT-Kontakttechnologie.
Integrierter Temperatursensor
Hohe Stromdichte
Niedrige VCE, Sat
Overload-Betrieb bis 175° C
TRENCHSTOPTM IGBT7
VCE, Sat mit positivem Temperaturkoeffizienten
Vergrößerte Diode für regenerativen Betrieb
Hohe Leistungsdichte
Isolierte Grundplatte
PressFIT Kontakttechnologie
Standardgehäuse
Hohe Stromdichte
Niedrige VCE, Sat
Overload-Betrieb bis 175° C
TRENCHSTOPTM IGBT7
VCE, Sat mit positivem Temperaturkoeffizienten
Vergrößerte Diode für regenerativen Betrieb
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