Bourns IGBT / 20 A ±20V max. , 600 V 192 W TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 253-3504
- Herst. Teile-Nr.:
- BIDW20N60T
- Marke:
- Bourns
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- 253-3504
- Herst. Teile-Nr.:
- BIDW20N60T
- Marke:
- Bourns
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Bourns | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 20 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 192 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Konfiguration | Einfachdiode | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Bourns | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 20 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 192 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Konfiguration Einfachdiode | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Das IGBT-Gerät von Bourns vereint die Technologie eines MOS-Gate und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieses Gerät verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einem geringeren Leitungsverlust und weniger Schaltverlusten ermöglicht. Darüber hinaus bietet diese Struktur einen positiven Temperaturkoeffizienten.
600 V, 20 A, niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat))
Trench-Gate-Field-Stop-Technologie
Optimiert für Leitfähigkeit
Niedriger Schaltverlust
RoHS-konform
Trench-Gate-Field-Stop-Technologie
Optimiert für Leitfähigkeit
Niedriger Schaltverlust
RoHS-konform
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