Bourns IGBT / 50 A ±20V max. , 650 V 416 W TO-247

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*

36,25 €

(ohne MwSt.)

43,14 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter 100,00 € (ohne MwSt.) betragen 8,95 €.
Auf Lager
  • Zusätzlich 1.102 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
10 - 483,625 €
50 - 983,415 €
100 - 2482,975 €
250 +2,915 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
253-3509P
Herst. Teile-Nr.:
BIDW50N65T
Marke:
Bourns
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Bourns

Dauer-Kollektorstrom max.

50 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

416 W

Gehäusegröße

TO-247

Konfiguration

Einfachdiode

Das IGBT-Gerät von Bourns vereint die Technologie eines MOS-Gate und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieses Gerät verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einer geringeren Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter (VCE(sat)) und geringeren Schaltverlusten ermöglicht. Darüber hinaus bietet diese Struktur einen niedrigeren Wärmewiderstand R(th).

650 V, 50 A, niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat))
Trench-Gate-Field-Stop-Technologie
Optimiert für Leitfähigkeit
RoHS-konform

Verwandte Links

Recently viewed