Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

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RS Best.-Nr.:
253-9846
Herst. Teile-Nr.:
FS150R12N2T7B54BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.8V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

FS150R12N2T7B54B

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

107.5mm

Breite

45 mm

Höhe

17mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon FS150 ist ein EconoPACK 2-Modul mit IGBT und emittergesteuerter Diode sowie PressFIT oder NTC.

Niedriger VCEsat-Überlastbetrieb bis zu 175 °C Integrierter NTC-Temperatursensor Hohe Leistung und thermische Zyklusfähigkeit PressFIT-Kontakttechnologie Kupfer-Sockelplatte

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