Teile-Nr.

Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

RS Best.-Nr.:: 253-9848
Herst. Teile-Nr.:: FS150R12N2T7B54BPSA1
Marke:: Infineon

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Herst. Teile-Nr.:: FS150R12N2T7B54BPSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	1200V
	Maximale Verlustleistung Pd	20mW
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	1.8V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	17mm
	Länge	107.5mm
	Breite	45 mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Serie	FS150R12N2T7B54B
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V
	Maximale Verlustleistung Pd 20mW
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.8V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 17mm
	Länge 107.5mm
	Breite 45 mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Serie FS150R12N2T7B54B
	Automobilstandard Nein

Datasheet - FS150R12N2T7B54BPSA1

Das Infineon FS150 ist ein EconoPACK 2-Modul mit IGBT und emittergesteuerter Diode sowie PressFIT oder NTC.

Niedriger VCEsat-Überlastbetrieb bis zu 175 °C Integrierter NTC-Temperatursensor Hohe Leistung und thermische Zyklusfähigkeit PressFIT-Kontakttechnologie Kupfer-Sockelplatte

Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

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