Infineon IGBT / 80 A, 1.42 V 395 W, 4-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 257-9261
- Herst. Teile-Nr.:
- IKZ75N65ES5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- IKZ75N65ES5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.42V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 395W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±30 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.75V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.42V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 395W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 4 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.75V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon-Serie IKZ ist die 650 V, 75 A IGBT mit Anti-Parallel-Diode in TO 247-Gehäuse. Hochgeschwindigkeits-TRENCHSTOP 5 S5 IGBT mit 650 V, 75 A und hoher Schaltleistung in TO 247-4-Gehäuse mit einem zusätzlichen Kelvin-Emitter-Stift. Der 4-polige TO 247 bietet eine extrem niedrige Induktivität an der Gate-Emitter-Steuerschleife und bringt den TRENCHSTOP 5 IGBT auf die nächste Stufe der besten Schaltleistung seiner Klasse.
Sehr niedrige Steuerinduktivitätsschleife
Zusätzlicher Emitter-Stift, der vierte Gehäusestift, für Treiberfeedback
Gleiche Abstand des Kollektor-Emitters wie das Standard-TO 247-Gehäuse
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