Infineon IGBT-Modul / 4.7 A 65 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 258-3757
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Marke:
- Infineon
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- IMBG120R350M1HXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 4.7A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65W | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 4.7A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65W | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 350-mΩ-SiC-MOSFET CoolSiC1200 V von Infineon in einem D2PAK-7L-Gehäuse basiert auf einem hochmodernen Trennhalbleiterprozess, der optimiert ist, um Leistung mit Zuverlässigkeit im Betrieb zu kombinieren. Die niedrigen Leistungsverluste der CoolSiC-Technologie in Kombination mit der XT-Verbindungstechnologie in einem neuen 1200-V-optimierten SMD-Gehäuse ermöglichen höchste Effizienz und passives Kühlpotenzial in Anwendungen wie Laufwerken, Ladegeräten und industriellen Netzteilen.
Sehr niedrige Schaltverluste
Kurzschlussbeständigkeit: 3 μs
Vollständig steuerbar dV/dt
Effizienzverbesserung
Ermöglicht höhere Frequenz
Erhöhte Leistungsdichte
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