Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 600 V 110 W TO-263-3

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

9,30 €

(ohne MwSt.)

11,05 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 955 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 201,86 €9,30 €
25 - 451,676 €8,38 €
50 - 1201,582 €7,91 €
125 - 2451,468 €7,34 €
250 +1,36 €6,80 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-7725
Herst. Teile-Nr.:
IKB10N60TATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

30 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

110 W

Gehäusegröße

TO-263-3

Konfiguration

Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate

Die diskrete IGBT von Infineon mit Anti-Paralleldiode im TO-263-Gehäuse. Erhebliche Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung dank der Kombination aus Trennzelle und Feldblende. Geringe Leitungs- und Schaltverluste.

Besonders niedriger VCEsat-Abfall für geringeren Leitungsverlust
Einfaches paralleles Schalten dank des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat
Sehr weiche, antiparallel emittergesteuerte Diode mit schneller Wiederherstellung
Hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten
Niedrige Gate-Ladung

Verwandte Links