Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 600 V 110 W TO-263-3

RS Best.-Nr.:: 258-7063
Herst. Teile-Nr.:: IKB10N60TATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 600 V 110 W TO-263-3

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Datasheet - IKB10N60TATMA1

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Die diskrete IGBT von Infineon mit Anti-Paralleldiode im TO-263-Gehäuse. Erhebliche Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung dank der Kombination aus Trennzelle und Feldblende. Geringe Leitungs- und Schaltverluste.

Besonders niedriger VCEsat-Abfall für geringeren Leitungsverlust
Einfaches paralleles Schalten dank des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat
Sehr weiche, antiparallel emittergesteuerte Diode mit schneller Wiederherstellung
Hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten
Niedrige Gate-Ladung

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Dauer-Kollektorstrom max.	30 A
Kollektor-Emitter-Spannung	600 V
Gate-Source Spannung max.	20V
Verlustleistung max.	110 W
Anzahl an Transistoren	1
Konfiguration	Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate
Gehäusegröße	TO-263-3

RS Best.-Nr.:: 258-7063
Herst. Teile-Nr.:: IKB10N60TATMA1
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