Infineon IGBT / 24 A, 600 V 110 W TO-263

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RS Best.-Nr.:
258-7063
Herst. Teile-Nr.:
IKB10N60TATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

24A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gehäusegröße

TO-263

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

TRENCHSTOPTM

Normen/Zulassungen

JEDEC1

Automobilstandard

Nein

Die diskrete IGBT von Infineon mit Anti-Paralleldiode im TO-263-Gehäuse. Erhebliche Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung dank der Kombination aus Trennzelle und Feldblende. Geringe Leitungs- und Schaltverluste.

Besonders niedriger VCEsat-Abfall für geringeren Leitungsverlust

Einfaches paralleles Schalten dank des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat

Sehr weiche, antiparallel emittergesteuerte Diode mit schneller Wiederherstellung

Hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten

Niedrige Gate-Ladung

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