Infineon IGBT-Modul / 50 A, 650 V 305 W, 3-Pin PG-TO-247

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

7,97 €

(ohne MwSt.)

9,484 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 232 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 83,985 €7,97 €
10 - 183,625 €7,25 €
20 - 483,385 €6,77 €
50 - 983,145 €6,29 €
100 +2,91 €5,82 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
259-1535
Herst. Teile-Nr.:
IKW50N65H5FKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

50A

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

305W

Gehäusegröße

PG-TO-247

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 ±30 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

High Speed Fifth Generation

Länge

41.42mm

Breite

16.13 mm

Normen/Zulassungen

JEDEC

Automobilstandard

Nein

Die Hochgeschwindigkeits-IGBT5 von Infineon ist mit der RAPID 1 schnellen und weichen Anti-Parallel-Diode in einem TO-247-Gehäuse verpackt, definiert als "best-in-class" IGBT. Er verfügt über den besten Wirkungsgrad in seiner Klasse, was zu einer niedrigeren Anschluss- und Gehäusetemperatur führt, was zu einer höheren Gerätezuverlässigkeit führt. 50-V-Erhöhung der Busspannung möglich, ohne die Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen.

Durchgangsspannung: 650 V

Im Vergleich zur besten HighSpeed 3-Familie

Faktor 2,5 niedriger Qg

Reduzierung der Schaltverluste um den Faktor 2

200 mV Reduzierung bei VCEsat

Mitgepackt mit Rapid Si-Diode-Technologie

Niedrige COES/EOSS

Leichter positiver Temperaturkoeffizient VCEsa

Verwandte Links