Infineon IGBT / 50 A ±20V max. Dual, 1200 V 285 W AG-34MM
- RS Best.-Nr.:
- 260-8888
- Herst. Teile-Nr.:
- FF50R12RT4HOSA1
- Marke:
- Infineon
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Produktdetails
Das infineon Dual IGBT-Modul ist eine 34 mm 1200 V, 50 A schnelle TRENCHSTOP IGBT4 und emittergesteuerte 4-Diode. VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizienten bietet Flexibilität, optimale elektrische Leistung und höchste Zuverlässigkeit.
Erweiterte Betriebstemperatur
Geringe Schaltverluste
Niedriger VCEsat
Isolierte Grundplatte
Standardgehäuse
Geringe Schaltverluste
Niedriger VCEsat
Isolierte Grundplatte
Standardgehäuse
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 285 W |
| Anzahl an Transistoren | 2 |
| Konfiguration | Dual |
| Gehäusegröße | AG-34MM |
| Montage-Typ | Chassismontage |
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