Infineon IGBT / 200 A Gemeinsamer Emittent, 1700 V 1250 W, 7-Pin 62MMH Typ N-Kanal Panel

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RS Best.-Nr.:
273-2916
Herst. Teile-Nr.:
FF200R17KE4HOSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

200A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1700V

Maximale Verlustleistung Pd

1250W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

62MMH

Konfiguration

Gemeinsamer Emittent

Montageart

Panel

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

7

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.45V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC 61140

Länge

106.4mm

Höhe

30.5mm

Automobilstandard

Nein

Das zweifache IGBT-Modul von Infineon mit schnellem IGBT4 und emittergesteuerter 4-Diode.

Optimale elektrische Leistung

Höchste Zuverlässigkeit

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