Infineon IGBT / 50 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 20 mW Modul Typ N-Kanal Panel

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RS Best.-Nr.:
273-2931
Herst. Teile-Nr.:
FS50R12W1T7B11BOMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

50A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

6

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Konfiguration

Gemeinsamer Emittent

Gehäusegröße

Modul

Montageart

Panel

Kabelkanaltyp

Typ N

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.64V

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

EN61140, IEC61140

Höhe

16.4mm

Länge

62.8mm

Automobilstandard

Nein

Das IGBT-Modul von Infineon mit TRENCHSTOP IGBT7, emittergesteuerter 7-Diode, NTC- und pressFIT-Kontakttechnologie.

Hohe Leistungsdichte

Kompakte Bauweise

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