STMicroelectronics IGBT / 200 A ±20V max. Dual, 650 V 714 W, 9-Pin ECOPACK NPN-Kanal

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RS Best.-Nr.:
273-5093
Herst. Teile-Nr.:
STGSB200M65DF2AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

200 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

714 W

Anzahl an Transistoren

2

Konfiguration

Single

Gehäusegröße

ECOPACK

Montage-Typ

SMD

Channel-Typ

NPN

Pinanzahl

9

Ursprungsland:
CN
Das STMicroelectronics Automotive-Grade Grabengate Field-Stop Low-Loss M-Serie IGBT in einem ACEPACK SMIT-Paket. Dieses Gerät ist ein IGBT, das mit einer fortschrittlichen proprietären Trenngatter-Feld-Stop-Struktur entwickelt wurde. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die eine optimale Balance zwischen Wechselrichtersystemleistung und Effizienz darstellen, wo der geringe Verlust und die Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind.

Enge Parameterverteilung
Geringer Wärmewiderstand
Würfel auf Substrat aus direkt gebundenem Kupfer (DBC)

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