Infineon IGBT / 40 A Doppelt 30 W, 8-Pin PG-TISON-8 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 273-5237
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0925NDATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0925NDATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30W | |
| Gehäusegröße | PG-TISON-8 | |
| Konfiguration | Doppelt | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21 | |
| Höhe | 1.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30W | ||
Gehäusegröße PG-TISON-8 | ||
Konfiguration Doppelt | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 8 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21 | ||
Höhe 1.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ist ein MOSFET mit zwei N-Kanälen. Es handelt sich um einen optimierten Buck-Wandler mit hoher Leistung. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser MOSFET ist halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.
RoHS-konform
Bleifreie Kabelbeschichtung
Sehr geringer Einschaltwiderstand
Optimiert für sauberes Schalten
100 % Lawinengeprüft
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