Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 40 A 2.5 W, 8-Pin TISON-8
- RS Best.-Nr.:
- 214-8977
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0910NDIATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
11,63 €
(ohne MwSt.)
13,84 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 4.960 Einheit(en) mit Versand ab 05. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,163 € | 11,63 € |
| 50 - 90 | 1,105 € | 11,05 € |
| 100 - 240 | 1,081 € | 10,81 € |
| 250 - 490 | 1,012 € | 10,12 € |
| 500 + | 0,942 € | 9,42 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-8977
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0910NDIATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | TISON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.87V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 6 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße TISON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.87V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 5mm | ||
Breite 6 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen. Die zweifach-N-Kanal OptiMOS MOSFETs werden halogenfrei gemäß IEC61249-2-21 und bleifreie Kabelbeschichtung geliefert; Erfüllt RoHS.
Monolithische integrierte Schottky-Diode
Optimiert für Hochleistungs-Abwärtswandler
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Verwandte Links
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2 8-Pin TISON-8
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal MOSFET 55 V Erweiterung / 20 A 65 W, 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2 8-Pin DSO
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1 8-Pin SO-8