Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / 14.9 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
- RS Best.-Nr.:
- 273-5243
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO301SPHXUMA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
2.217,50 €
(ohne MwSt.)
2.640,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 01. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,887 € | 2.217,50 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-5243
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO301SPHXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Gehäusegröße | PG-DSO-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 136nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 40mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Breite | 40 mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Gehäusegröße PG-DSO-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 136nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 40mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Breite 40 mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET. Diese Produkte erfüllen konsequent die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für die Gestaltung von Stromversorgungssystemen wie zum Beispiel den Zustandswiderstand und die Verdienstmerkmale. Er hat eine Betriebstemperatur von 150 Grad Celsius und ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert.
Logikpegel
Halogenfrei
RoHS-konform
Lawinenart
Bleifreie Kabelbeschichtung
Verstärkungsmodus
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal 8-Pin DSO
- Infineon BSO080P03S H OptiMOSTM-P Typ P-Kanal 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon ISA Typ N Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 7.9 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon ISA Typ N Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 9.6 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon ISA Typ N Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10.2 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon OptiMOS Power Transistor Typ P-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon OptiMOS Power Transistor Typ P-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8
