Infineon ISA Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10.2 A 2.5 W, 8-Pin ISA150233C03LMDSXTMA PG-DSO-8

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RS Best.-Nr.:
348-906
Herst. Teile-Nr.:
ISA150233C03LMDSXTMA
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PG-DSO-8

Serie

ISA

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

23.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC61249‐2‐21, JEDEC

Länge

6.2mm

Höhe

1.75mm

Breite

5 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Die OptiMOS 3-Leistungstransistoren von Infineon sind in komplementären N- und P-Kanal-Konfigurationen erhältlich und wurden für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt. Diese MOSFETs zeichnen sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der Leitungsverluste minimiert und die Gesamtleistung des Systems verbessert. Darüber hinaus bieten sie eine hervorragende thermische Beständigkeit, die eine bessere Wärmeableitung und Zuverlässigkeit bei anspruchsvollen Anwendungen gewährleistet. Aufgrund dieser Eigenschaften eignen sie sich ideal für verschiedene Power-Management- und energieeffiziente Designs.

100 % Avalanche-getestet

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249‑2‑21

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