Infineon ISA Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10.2 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
- RS Best.-Nr.:
- 348-906
- Herst. Teile-Nr.:
- ISA150233C03LMDSXTMA
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (20 Stück, in einer Packung mit 20)*
11,14 €
(ohne MwSt.)
13,26 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 4.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,557 € | 11,14 € |
| 200 - 480 | 0,529 € | 10,58 € |
| 500 + | 0,49 € | 9,80 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 348-906
- Herst. Teile-Nr.:
- ISA150233C03LMDSXTMA
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | ISA | |
| Gehäusegröße | PG-DSO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 6.2mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249‐2‐21, JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie ISA | ||
Gehäusegröße PG-DSO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 6.2mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249‐2‐21, JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die OptiMOS 3-Leistungstransistoren von Infineon sind in komplementären N- und P-Kanal-Konfigurationen erhältlich und wurden für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt. Diese MOSFETs zeichnen sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der Leitungsverluste minimiert und die Gesamtleistung des Systems verbessert. Darüber hinaus bieten sie eine hervorragende thermische Beständigkeit, die eine bessere Wärmeableitung und Zuverlässigkeit bei anspruchsvollen Anwendungen gewährleistet. Aufgrund dieser Eigenschaften eignen sie sich ideal für verschiedene Power-Management- und energieeffiziente Designs.
100 % Avalanche-getestet
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249‑2‑21
Verwandte Links
- Infineon ISA Typ N Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 7.9 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon ISA Typ N Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 9.6 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon ISA Zweifach N-Kanal 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon ISA Zweifach N-Kanal 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon BSO080P03S H OptiMOSTM-P Typ P-Kanal 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon ISA Typ P Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8.4 A 2.5 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal 8-Pin DSO