Infineon ISA Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10.2 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8

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RS Best.-Nr.:
348-906
Herst. Teile-Nr.:
ISA150233C03LMDSXTMA
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

ISA

Gehäusegröße

PG-DSO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

23.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.75mm

Länge

6.2mm

Normen/Zulassungen

IEC61249‐2‐21, JEDEC

Breite

5 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Die OptiMOS 3-Leistungstransistoren von Infineon sind in komplementären N- und P-Kanal-Konfigurationen erhältlich und wurden für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt. Diese MOSFETs zeichnen sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der Leitungsverluste minimiert und die Gesamtleistung des Systems verbessert. Darüber hinaus bieten sie eine hervorragende thermische Beständigkeit, die eine bessere Wärmeableitung und Zuverlässigkeit bei anspruchsvollen Anwendungen gewährleistet. Aufgrund dieser Eigenschaften eignen sie sich ideal für verschiedene Power-Management- und energieeffiziente Designs.

100 % Avalanche-getestet

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249‑2‑21

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