Infineon ISA Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8.4 A 2.5 W, 3-Pin ISA220280C03LMDSXTMA1

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RS Best.-Nr.:
348-904
Herst. Teile-Nr.:
ISA220280C03LMDSXTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Serie

ISA

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5 mm

Länge

6.2mm

Normen/Zulassungen

IEC61249‐2‐21, JEDEC

Höhe

1.75mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Die OptiMOS 3-Leistungstransistoren von Infineon sind in komplementären N- und P-Kanal-Konfigurationen erhältlich und wurden für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt. Diese MOSFETs zeichnen sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der Leitungsverluste minimiert und die Gesamtleistung des Systems verbessert. Darüber hinaus bieten sie eine hervorragende thermische Beständigkeit, die eine bessere Wärmeableitung und Zuverlässigkeit bei anspruchsvollen Anwendungen gewährleistet. Aufgrund dieser Eigenschaften eignen sie sich ideal für verschiedene Power-Management- und energieeffiziente Designs.

100 % Avalanche-getestet

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249‑2‑21

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