Infineon SPD04P10PL G Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / -4.2 A 38 W, 3-Pin PG-TO252-3

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RS Best.-Nr.:
273-7550
Herst. Teile-Nr.:
SPD04P10PLGBTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-4.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SPD04P10PL G

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

850mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

38W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Durchlassspannung Vf

0.94V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC Q101, RoHS

Höhe

1.5mm

Länge

40mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineons MOSFET ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET. Diese Produkte erfüllen durchweg die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in Bezug auf Schlüsselspezifikationen für die Auslegung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. Widerstand im eingeschalteten Zustand und Leistungskennzahlen. Es handelt sich um ein qualifiziertes Produkt gemäß AEC Q101.

Logikpegel

RoHS-konform

Erweiterungsmodus

Pb-freie Bleibeschichtung

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