Infineon SPD04P10PL G Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / -4.2 A 38 W, 3-Pin PG-TO252-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-7550
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD04P10PLGBTMA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
740,00 €
(ohne MwSt.)
880,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 17. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,296 € | 740,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7550
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD04P10PLGBTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -4.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | SPD04P10PL G | |
| Gehäusegröße | PG-TO252-3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 850mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.94V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC Q101, RoHS | |
| Breite | 40 mm | |
| Länge | 40mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -4.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie SPD04P10PL G | ||
Gehäusegröße PG-TO252-3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 850mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.94V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC Q101, RoHS | ||
Breite 40 mm | ||
Länge 40mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineons MOSFET ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET. Diese Produkte erfüllen durchweg die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in Bezug auf Schlüsselspezifikationen für die Auslegung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. Widerstand im eingeschalteten Zustand und Leistungskennzahlen. Es handelt sich um ein qualifiziertes Produkt gemäß AEC Q101.
Logikpegel
RoHS-konform
Erweiterungsmodus
Pb-freie Bleibeschichtung
Verwandte Links
- Infineon SPD04P10PL G Typ P-Kanal 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon SPD18P06P G Typ P-Kanal 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon Spannungsregler 40V PG-TO252-3, 3-Pin
- Infineon SPD18P06P G Typ P-Kanal 3-Pin SPD18P06PGBTMA1 PG-TO252-3
- Infineon TLS850A4TEV50ATMA1 Spannungsregler 45V PG-TO252-3, 3-Pin
- Infineon TLF80511TFV33ATMA2 Spannungsregler 40V PG-TO252-3, 3-Pin
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal 3-Pin PG-TO252-3
