Infineon SPD04P10PL G Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / -4.2 A 38 W, 3-Pin PG-TO252-3

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RS Best.-Nr.:
273-7551
Herst. Teile-Nr.:
SPD04P10PLGBTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-4.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Serie

SPD04P10PL G

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

850mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.94V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

38W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

40 mm

Länge

40mm

Höhe

1.5mm

Normen/Zulassungen

AEC Q101, RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineons MOSFET ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET. Diese Produkte erfüllen durchweg die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in Bezug auf Schlüsselspezifikationen für die Auslegung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. Widerstand im eingeschalteten Zustand und Leistungskennzahlen. Es handelt sich um ein qualifiziertes Produkt gemäß AEC Q101.

Logikpegel

RoHS-konform

Erweiterungsmodus

Pb-freie Bleibeschichtung

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