Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 6 A 52 W, 3-Pin PG-TO252-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-2786
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD95R1K2P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
9,60 €
(ohne MwSt.)
11,40 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 80 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,92 € | 9,60 € |
| 50 - 95 | 1,742 € | 8,71 € |
| 100 - 245 | 1,60 € | 8,00 € |
| 250 - 995 | 1,476 € | 7,38 € |
| 1000 + | 1,368 € | 6,84 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-2786
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD95R1K2P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 950V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | PG-TO252-3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 950V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße PG-TO252-3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 52 W Verlustleistung, 950 V Drain-Source-Spannung – IPD95R1K2P7ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen Temperaturbereichen entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Gerät, das sich für Anwendungen eignet, die ein Gleichgewicht zwischen Spannungsfestigkeit und moderatem Gleichstrom erfordern. Die Komponente wird in einem PG-TO252-3-Gehäuse geliefert und entspricht den RoHS-Umweltbeschränkungen.
Merkmale und Vorteile:
• 950-V-Drain-Source-Fähigkeit ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 6 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung von Lasten mittlerer Leistung
• 52 W Verlustleistung für thermische Handhabung in Wandlern
• 1,2 Ω RDS(on) minimiert Leitungsverluste bei niedrigen Frequenzen
• 15 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltübergänge
• 6 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung von Lasten mittlerer Leistung
• 52 W Verlustleistung für thermische Handhabung in Wandlern
• 1,2 Ω RDS(on) minimiert Leitungsverluste bei niedrigen Frequenzen
• 15 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltübergänge
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter
• Ideal für Niederfrequenzschaltvorgänge in industriellen Versorgungsanlagen
• Wird mit oberflächenmontierten Leiterplatten verwendet, die kompakte Stromversorgungsgeräte erfordern
• Kann für Systeme verwendet werden, die von -55 °C bis 150 °C betrieben werden
• Wird für diskrete Schaltstufen im Energiemanagement verwendet
• Ideal für Niederfrequenzschaltvorgänge in industriellen Versorgungsanlagen
• Wird mit oberflächenmontierten Leiterplatten verwendet, die kompakte Stromversorgungsgeräte erfordern
• Kann für Systeme verwendet werden, die von -55 °C bis 150 °C betrieben werden
• Wird für diskrete Schaltstufen im Energiemanagement verwendet
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen für den ordnungsgemäßen Betrieb eingehalten werden?
Das Gate darf ±20 V gegenüber der Quelle nicht überschreiten, um eine elektrische Überbelastung zu verhindern.
Wie funktioniert das Gerät bei extremen Temperaturen?
Er hält den spezifizierten Betrieb von -55 °C bis 150 °C aufrecht und ermöglicht so eine große thermische Spanne für raue Umgebungen.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?
Er wird in einem PG-TO252-3-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, um eine kompakte Leiterplatten-Integration zu ermöglichen.
Ist diese Komponente für die Einhaltung von Automobilstandards geeignet?
Es wird nicht angegeben, dass es den Normen der Automobilindustrie entspricht, und es sollte nicht davon ausgegangen werden, dass es konform ist.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS N-Kanal 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS N-Kanal 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS N-Kanal 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS N-Kanal 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS N-Kanal 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS N-Kanal 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS N-Kanal 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS N-Kanal 3-Pin PG-TO252-3