Wartung der Website - 21. - 23. Juni 2024

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Infineon IPD95R1K2P7ATMA1 N-Kanal, THT MOSFET 950 V / 1899-12-31 06:00:00, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 273-2785
Herst. Teile-Nr.:: IPD95R1K2P7ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPD95R1K2P7ATMA1 N-Kanal, THT MOSFET 950 V / 1899-12-31 06:00:00, 3-Pin TO-252

Voraussichtlich ab 12.09.2024 verfügbar.

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2500)

0,574 €

(ohne MwSt.)

0,683 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
2500 +	0,574 €	1.435,00 €

*Bitte VPE beachten

Nicht als Expresslieferung erhältlich

RS Best.-Nr.:: 273-2785
Herst. Teile-Nr.:: IPD95R1K2P7ATMA1
Marke:: Infineon

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet - IPD95R1K2P7ATMA1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der MOSFET von Infineon ist ein Leistungsbauteil vom Typ CoolMOS P7 SJ mit 950 V. Die neueste Serie CoolMOS P7 mit 950 V setzt neue Maßstäbe in der 950-V-Superjunction-Technologie und kombiniert erstklassige Leistung mit modernster Benutzerfreundlichkeit. Ermöglicht Konstruktionen mit höherer Leistungsdichte, Einsparungen bei der Stückliste und geringere Montagekosten. Es sorgt für eine bessere Produktionsausbeute, indem es ESD-bedingte Ausfälle reduziert.

Weniger Produktionsprobleme
Vollständig optimiertes Portfolio
Einfache Ansteuerung und Parallelschaltung
Integrierter Zenerdioden-ESD-Schutz

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	1899-12-31 06:00:00
Drain-Source-Spannung max.	950 V
Gehäusegröße	TO-252
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Channel-Modus	Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip	1