Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 6 A 52 W, 3-Pin IPD95R1K2P7ATMA1 PG-TO252-3

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RS Best.-Nr.:
273-2785
Herst. Teile-Nr.:
IPD95R1K2P7ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

950V

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET von Infineon ist ein Leistungsbauteil vom Typ CoolMOS P7 SJ mit 950 V. Die neueste Serie CoolMOS P7 mit 950 V setzt neue Maßstäbe in der 950-V-Superjunction-Technologie und kombiniert erstklassige Leistung mit modernster Benutzerfreundlichkeit. Ermöglicht Konstruktionen mit höherer Leistungsdichte, Einsparungen bei der Stückliste und geringere Montagekosten. Es sorgt für eine bessere Produktionsausbeute, indem es ESD-bedingte Ausfälle reduziert.

Weniger Produktionsprobleme

Vollständig optimiertes Portfolio

Einfache Ansteuerung und Parallelschaltung

Integrierter Zenerdioden-ESD-Schutz

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