Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 6 A 52 W, 3-Pin PG-TO252-3

RS Best.-Nr.:: 273-2785
Herst. Teile-Nr.:: IPD95R1K2P7ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 6 A 52 W, 3-Pin PG-TO252-3

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Herst. Teile-Nr.:: IPD95R1K2P7ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	950V
	Gehäusegröße	PG-TO252-3
	Serie	OptiMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.2Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	15nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	52W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 950V
	Gehäusegröße PG-TO252-3
	Serie OptiMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 52W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPD95R1K2P7ATMA1

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 52 W Verlustleistung, 950 V Drain-Source-Spannung – IPD95R1K2P7ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen Temperaturbereichen entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Gerät, das sich für Anwendungen eignet, die ein Gleichgewicht zwischen Spannungsfestigkeit und moderatem Gleichstrom erfordern. Die Komponente wird in einem PG-TO252-3-Gehäuse geliefert und entspricht den RoHS-Umweltbeschränkungen.

Merkmale und Vorteile:

• 950-V-Drain-Source-Fähigkeit ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 6 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung von Lasten mittlerer Leistung
• 52 W Verlustleistung für thermische Handhabung in Wandlern
• 1,2 Ω RDS(on) minimiert Leitungsverluste bei niedrigen Frequenzen
• 15 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltübergänge

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter
• Ideal für Niederfrequenzschaltvorgänge in industriellen Versorgungsanlagen
• Wird mit oberflächenmontierten Leiterplatten verwendet, die kompakte Stromversorgungsgeräte erfordern
• Kann für Systeme verwendet werden, die von -55 °C bis 150 °C betrieben werden
• Wird für diskrete Schaltstufen im Energiemanagement verwendet

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen für den ordnungsgemäßen Betrieb eingehalten werden?

Das Gate darf ±20 V gegenüber der Quelle nicht überschreiten, um eine elektrische Überbelastung zu verhindern.

Wie funktioniert das Gerät bei extremen Temperaturen?

Er hält den spezifizierten Betrieb von -55 °C bis 150 °C aufrecht und ermöglicht so eine große thermische Spanne für raue Umgebungen.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?

Er wird in einem PG-TO252-3-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, um eine kompakte Leiterplatten-Integration zu ermöglichen.

Ist diese Komponente für die Einhaltung von Automobilstandards geeignet?

Es wird nicht angegeben, dass es den Normen der Automobilindustrie entspricht, und es sollte nicht davon ausgegangen werden, dass es konform ist.