Infineon ISA Zweifach N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 40 V / 7.9 A 2.5 W, 8-Pin

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RS Best.-Nr.:
348-910
Herst. Teile-Nr.:
ISA250250N04LMDSXTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Zweifach N

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

ISA

Gehäusegröße

PG-DSO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

25mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.8nC

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der OptiMOS 3 Leistungstransistor von Infineon ist ein Dual-N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, was zur Verringerung der Leitungsverluste und zur Steigerung der Gesamteffizienz des Systems beiträgt. Darüber hinaus bietet der Transistor eine überragende thermische Beständigkeit, die ein besseres Wärmemanagement und Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Bedingungen gewährleistet. Diese Kombination von Merkmalen macht ihn ideal für Anwendungen, die eine effiziente Leistungsschaltung und thermische Leistung erfordern.

100 % Avalanche-getestet

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249‑2‑21

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