Infineon ISA Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 9.6 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8

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RS Best.-Nr.:
348-912
Herst. Teile-Nr.:
ISA170170N04LMDSXTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Zweifach N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PG-DSO-8

Serie

ISA

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC Standard

Ursprungsland:
CN
Der OptiMOS 3 Leistungstransistor von Infineon ist ein Dual-N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, was zur Verringerung der Leitungsverluste und zur Steigerung der Gesamteffizienz des Systems beiträgt. Darüber hinaus bietet der Transistor eine überragende thermische Beständigkeit, die ein besseres Wärmemanagement und Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Bedingungen gewährleistet. Diese Kombination von Merkmalen macht ihn ideal für Anwendungen, die eine effiziente Leistungsschaltung und thermische Leistung erfordern.

100 % Avalanche-getestet

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249‑2‑21

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