Infineon BSO080P03S H OptiMOSTM-P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -14.9 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

7,32 €

(ohne MwSt.)

8,71 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 451,464 €7,32 €
50 - 951,22 €6,10 €
100 - 2451,126 €5,63 €
250 - 9951,044 €5,22 €
1000 +1,022 €5,11 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-5242
Herst. Teile-Nr.:
BSO080P03SHXUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-14.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Serie

BSO080P03S H OptiMOSTM-P

Gehäusegröße

PG-DSO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

-102nC

Durchlassspannung Vf

-0.82V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

40mm

Höhe

1.5mm

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET. Diese Produkte erfüllen konsequent die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für die Entwicklung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. auf Zustandwiderstand und Verdienstmerkmale. Er hat eine Betriebstemperatur von 150 Grad Celsius und ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert.

Logikpegel

Halogenfrei

RoHS-konform

Bleifreie Kabelbeschichtung

Verstärkungsmodus

Verwandte Links