Infineon BSO080P03S H OptiMOSTM-P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -14.9 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
- RS Best.-Nr.:
- 273-5242
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO080P03SHXUMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
7,42 €
(ohne MwSt.)
8,83 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 90 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,484 € | 7,42 € |
| 50 - 95 | 1,236 € | 6,18 € |
| 100 - 245 | 1,142 € | 5,71 € |
| 250 - 995 | 1,058 € | 5,29 € |
| 1000 + | 1,036 € | 5,18 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-5242
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO080P03SHXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -14.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Serie | BSO080P03S H OptiMOSTM-P | |
| Gehäusegröße | PG-DSO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | -102nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Durchlassspannung Vf | -0.82V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 40mm | |
| Breite | 40 mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -14.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Serie BSO080P03S H OptiMOSTM-P | ||
Gehäusegröße PG-DSO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs -102nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Durchlassspannung Vf -0.82V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 40mm | ||
Breite 40 mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Höhe 1.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET. Diese Produkte erfüllen konsequent die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für die Entwicklung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. auf Zustandwiderstand und Verdienstmerkmale. Er hat eine Betriebstemperatur von 150 Grad Celsius und ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert.
Logikpegel
Halogenfrei
RoHS-konform
Bleifreie Kabelbeschichtung
Verstärkungsmodus
Verwandte Links
- Infineon BSO080P03S H OptiMOSTM-P Typ P-Kanal 8-Pin
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal 8-Pin BSO301SPHXUMA1 PG-DSO-8
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal 8-Pin DSO
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal 8-Pin BSO201SPHXUMA1 DSO
- Infineon ISA Typ N Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 7.9 A 2.5 W, 8-Pin ISA250300C04LMDSXTMA1 PG-DSO-8
- Infineon ISA Typ N Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 9.6 A 2.5 W, 8-Pin ISA170230C04LMDSXTMA1 PG-DSO-8
- Infineon ISA Typ N Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10.2 A 2.5 W, 8-Pin ISA150233C03LMDSXTMA PG-DSO-8