Infineon ISA Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 9.6 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
- RS Best.-Nr.:
- 348-909
- Herst. Teile-Nr.:
- ISA170230C04LMDSXTMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
9,87 €
(ohne MwSt.)
11,75 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 110 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- 4.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,987 € | 9,87 € |
| 100 - 240 | 0,937 € | 9,37 € |
| 250 - 490 | 0,867 € | 8,67 € |
| 500 - 990 | 0,798 € | 7,98 € |
| 1000 + | 0,768 € | 7,68 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 348-909
- Herst. Teile-Nr.:
- ISA170230C04LMDSXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | ISA | |
| Gehäusegröße | PG-DSO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 29.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, IEC61249‐2‐21 | |
| Breite | 5 mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 6.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie ISA | ||
Gehäusegröße PG-DSO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 29.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, IEC61249‐2‐21 | ||
Breite 5 mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 6.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die OptiMOS 3-Leistungstransistoren von Infineon sind in komplementären N- und P-Kanal-Konfigurationen erhältlich und wurden für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt. Diese MOSFETs zeichnen sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der Leitungsverluste minimiert und die Gesamtleistung des Systems verbessert. Darüber hinaus bieten sie eine hervorragende thermische Beständigkeit, die eine bessere Wärmeableitung und Zuverlässigkeit bei anspruchsvollen Anwendungen gewährleistet. Aufgrund dieser Eigenschaften eignen sie sich ideal für verschiedene Power-Management- und energieeffiziente Designs.
100 % Avalanche-getestet
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249‑2‑21
Verwandte Links
- Infineon ISA Zweifach N-Kanal 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon ISA Typ N Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 7.9 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon ISA Typ N Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10.2 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon ISA Zweifach N-Kanal 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon BSO080P03S H OptiMOSTM-P Typ P-Kanal 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon ISA Typ P Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8.4 A 2.5 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon IGOT65 Typ N-Kanal 20-Pin PG-DSO-20
