Infineon ISA Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 9.6 A 2.5 W, 8-Pin ISA170230C04LMDSXTMA1 PG-DSO-8

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RS Best.-Nr.:
348-909
Herst. Teile-Nr.:
ISA170230C04LMDSXTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PG-DSO-8

Serie

ISA

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

29.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.75mm

Normen/Zulassungen

JEDEC, IEC61249‐2‐21

Breite

5 mm

Länge

6.2mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Die OptiMOS 3-Leistungstransistoren von Infineon sind in komplementären N- und P-Kanal-Konfigurationen erhältlich und wurden für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt. Diese MOSFETs zeichnen sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der Leitungsverluste minimiert und die Gesamtleistung des Systems verbessert. Darüber hinaus bieten sie eine hervorragende thermische Beständigkeit, die eine bessere Wärmeableitung und Zuverlässigkeit bei anspruchsvollen Anwendungen gewährleistet. Aufgrund dieser Eigenschaften eignen sie sich ideal für verschiedene Power-Management- und energieeffiziente Designs.

100 % Avalanche-getestet

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249‑2‑21

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