Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal MOSFET 55 V Erweiterung / 20 A 65 W, 8-Pin TDSON

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

2.030,00 €

(ohne MwSt.)

2.415,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter 100,00 € (ohne MwSt.) betragen 8,95 €.
Auf Lager
  • 20.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +0,406 €2.030,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
258-3876
Herst. Teile-Nr.:
IPG20N06S2L35AATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Maximale Verlustleistung Pd

65W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der OptiMOS-Leistungs-Transistor von Infineon ist ein Dual Super S08, der mehrere DPAKs ersetzen kann, um erhebliche Einsparungen auf der Leiterplatte zu erreichen und die Kosten auf Systemebene zu senken. Größerer Quellkabelrahmenanschluss für die Kabelverbindung und die gleiche thermische und elektrische Leistung wie ein DPAK mit der gleichen Matrizengröße.

Zweifach-N-Kanal-Logikpegel – Enhancement-Modus

AEC Q101-qualifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

Betriebstemperatur: 175 °C

Verwandte Links

Recently viewed