Infineon OptiMOS™ IPG20N10S4L35ATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 100 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Der Infineon bietet eine breite Palette von N-Kanal-MOSFETs mit 75 V bis 100 V für den Einsatz in der Automobilindustrie mit der neuen OptiMOS-Technologie in verschiedenen Gehäusen, einem RDS(on)-Bereich von 1,2 m. bis zu 190 m. die Reduzierung der CO2-Emissionen von Pkw beschleunigt die 48-V-Platinennetzeinführung und damit die 48-V-ähnliche Startergeneratoren (Hauptwechselrichter). Batterie Hauptschalter, DCDC-Wandler sowie 48-V-Hilfsgeräte. Für diesen neuen Markt bietet Infineon ein breites Portfolio an Kfz-MOSFETs mit 80 V und 100 V, Die in verschiedenen Gehäusetypen wie TOLL (HSOF-8), TOLG (HSoG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) und S308 (TSDSON-8) untergebracht sind, um Lösungen für verschiedene Leistungsanforderungen sowie verschiedene Kühlkonzepte auf der Ebene der elektronischen Steuereinheit (ECU) zu bieten. Die 80-V- und 100-V-MOSFETs werden neben 48-V-Anwendungen auch in LED-Beleuchtung, Kraftstoffeinspritzung sowie im Fahrzeug zum drahtlosen Laden eingesetzt.

Zwei N-Kanal-Logikpegel - Erweiterungsmodus
AEC Q101-zertifiziert
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
Green Product (RoHS-konform)
100 % Lawinenprüfung
Dual Super S08 kann mehrere DPAK ersetzen, um erhebliche Einsparungen im Leiterplattenbereich und eine Senkung der Systemkosten zu erreichen.
Der Haftdraht ist 200 μm für bis zu 20 A Strom
Größerer Quellkabelrahmenanschluss für die Drahtverbindung
Gehäuse: PG-TDSON-8-4
Gleiche thermische und elektrische Leistung wie ein DPAK mit der gleichen Matrizengröße.
Freiliegendes Pad bietet ausgezeichnete Wärmeübertragung (variiert je nach Matrizengröße)
Zwei N-Kanal-MOSFETs in einem Gehäuse mit 2 isolierten Leitungen Rahmen