Infineon Doppelt IPG20 Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 40 V Erweiterung / 20 A 65 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
218-3057
Herst. Teile-Nr.:
IPG20N04S408AATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IPG20

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

65W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Länge

5.15mm

Höhe

1mm

Breite

5.9 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon 20-40-V-N-Kanal-MOSFET für die Automobilindustrie. Das freiliegende Pad bietet eine ausgezeichnete Wärmeübertragung (variiert je nach Matrizengröße).

Dualer N-Kanal Normalpegel - Erweiterungsmodus

175 °C Betriebstemperatur

100 % Lawinenprüfung

Möglich für automatische optische Inspektion (AOI)

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