Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET & Diode 100 V Erweiterung / 20 A 43 W, 8-Pin TDSON

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Herst. Teile-Nr.:
IPG20N10S4L35AATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±16 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13.4nC

Maximale Verlustleistung Pd

43W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Breite

5.9 mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Höhe

1mm

Länge

5.15mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon bietet eine breite Palette von N-Kanal-MOSFETs mit 75 V bis 100 V für den Einsatz in der Automobilindustrie mit der neuen OptiMOS-Technologie in verschiedenen Gehäusen, einem RDS(on)-Bereich von 1,2 m. bis zu 190 m. die Reduzierung der CO2-Emissionen von Pkw beschleunigt die 48-V-Platinennetzeinführung und damit die 48-V-ähnliche Startergeneratoren (Hauptwechselrichter). Batterie Hauptschalter, DCDC-Wandler sowie 48-V-Hilfsgeräte. Für diesen neuen Markt bietet Infineon ein breites Portfolio an Kfz-MOSFETs mit 80 V und 100 V, Die in verschiedenen Gehäusetypen wie TOLL (HSOF-8), TOLG (HSoG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) und S308 (TSDSON-8) untergebracht sind, um Lösungen für verschiedene Leistungsanforderungen sowie verschiedene Kühlkonzepte auf der Ebene der elektronischen Steuereinheit (ECU) zu bieten. Neben den 48-V-Anwendungen werden die 80-V- und 100-V-MOSFETs auch in LED-Beleuchtung, Kraftstoffeinspritzung sowie im Fahrzeug zum drahtlosen Laden eingesetzt.

Zwei N-Kanal-Logikpegel - Erweiterungsmodus

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

Möglich für automatische optische Inspektion (AOI)

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