Infineon IGBT Gemeinsamer Emittent, 1200 V 2.4 kW, 7-Pin CTI Panel
- RS Best.-Nr.:
- 273-5298
- Herst. Teile-Nr.:
- FF450R12KE4EHOSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- FF450R12KE4EHOSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.4kW | |
| Konfiguration | Gemeinsamer Emittent | |
| Gehäusegröße | CTI | |
| Montageart | Panel | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.4kW | ||
Konfiguration Gemeinsamer Emittent | ||
Gehäusegröße CTI | ||
Montageart Panel | ||
Pinanzahl 7 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das IGBT-Modul von Infineon ist ein 62-mm-Modul mit schnellem TRENCHSTOP TM IGBT4 und emittergesteuerter HE-Diode. Dieses IGBT-Modul ist geeignet für Hochleistungs-Wandler, USV-Systeme, Solaranwendungen und Hochfrequenz-Schaltanwendungen.
RoHS-konform
Standardgehäuse
Kupfer-Sockelplatte
Isolierte Grundplatte
Erhöhte DC-Verbindungsspannung
Hohe Kletter- und Freiraumdistanzen
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