Infineon IGBT / 8 A +/-20V max. , 600 V 42 W, 3-Pin PG-TO-220-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-7451
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP04N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
1,50 €
(ohne MwSt.)
1,78 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 476 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 0,75 € | 1,50 € |
| 10 - 18 | 0,685 € | 1,37 € |
| 20 - 98 | 0,67 € | 1,34 € |
| 100 - 248 | 0,50 € | 1,00 € |
| 250 + | 0,485 € | 0,97 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7451
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP04N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 8 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | +/-20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 42 W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-220-3 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 8 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. +/-20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 42 W | ||
Gehäusegröße PG-TO-220-3 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Infineons IGBT verfügt über die TRENCHSTOP- und Feldstopp-Technologie mit weicher, schnell erholender antiparalleler emittergesteuerter HE-Diode. Dieser IGBT ist gemäß JEDEC1 für Zielanwendungen qualifiziert. Das Produkt hat einen positiven Temperaturkoeffizienten bei VCE sat. Dieser IGBT ist für Frequenzumrichter und Antriebe konzipiert.
RoHS-konform
Hohe Robustheit
Niedrige Gate-Ladung
Pb-freie Bleiplattierung
Stabiles Temperaturverhalten
Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit
Sehr niedrige VCEsat und geringe EMI
Hohe Robustheit
Niedrige Gate-Ladung
Pb-freie Bleiplattierung
Stabiles Temperaturverhalten
Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit
Sehr niedrige VCEsat und geringe EMI
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 8 A +/-20V max. 3-Pin PG-TO-220-3
- Infineon IGBT / 40 A +/-20V max. 3-Pin PG-TO-220-3
- Infineon IGBT ±20V max., 600 V PG-TO252-3
- Infineon IGBT-Transistormodul / 24 A ±20V max. Triple, 600 V 110 W PG-TO-220-3
- Infineon IGBT / 42 A 20V max. , 650 V 125 W TO-220-3
- Infineon IGBT / 5 600 V 6,3 W PG-SOT223-3
- Infineon IGBT / 7 600 V 6,8 W PG-SOT223-3
- Infineon IGBT / 8 A 20V max. 2 W PG-SOT223-3
