Infineon IGBT / 40 A, 600 V 170 W, 3-Pin PG-TO263-3 Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 273-7446
- Herst. Teile-Nr.:
- IKB20N60H3ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- IKB20N60H3ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | TrenchStop | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC | |
| Breite | 10.31 mm | |
| Länge | 9.45mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Gehäusegröße PG-TO263-3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie TrenchStop | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC | ||
Breite 10.31 mm | ||
Länge 9.45mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons IGBT ist ein Hochgeschwindigkeits-IGBT in Trench- und Field-Stop-Technologie. Dieser IGBT hat eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 Grad Celsius und ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser IGBT wird für unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Schweißumrichter und Umrichter mit hoher Schaltfrequenz empfohlen.
Niedrige EMI
Halogenfrei
RoHS-konform
Sehr niedriger VCEsat
Pb-freie Bleibeschichtung
Sehr weiche und schnell erholende Antiparallel-Diode
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