Infineon IMBG65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 170 A, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R009M1HXTMA1
- RS Best.-Nr.:
- 351-987
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBG65R009M1HXTMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 170A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Ausgangsleistung | 555W | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7 | |
| Serie | IMBG65 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.2mm | |
| Breite | 9.45 mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Höhe | 4.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 170A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Ausgangsleistung 555W | ||
Gehäusegröße PG-TO263-7 | ||
Serie IMBG65 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.2mm | ||
Breite 9.45 mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Höhe 4.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolSiC ist auf der soliden Siliziumkarbid-Technologie aufgebaut. Er nutzt die Eigenschaften des SiC-Materials mit breiter Bandlücke und bietet eine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit. Er eignet sich für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen und ermöglicht eine vereinfachte und kosteneffiziente Bereitstellung von Systemen mit höchster Effizienz.
Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen
Kommutierungsstabile schnelle Body-Diode mit niedrigem Qfr
Hervorragende Gate-Oxid-Zuverlässigkeit
Erhöhte Avalanche-Beständigkeit
Kompatibel mit Standardtreibern
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