Infineon IMBG65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 34.9 A, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R060M2H

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

14,19 €

(ohne MwSt.)

16,886 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 187,095 €14,19 €
20 - 1986,385 €12,77 €
200 +5,89 €11,78 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
351-959
Herst. Teile-Nr.:
IMBG65R060M2H
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

34.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Ausgangsleistung

148W

Serie

IMBG65

Gehäusegröße

PG-TO263-7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.5mm

Normen/Zulassungen

JEDEC

Länge

10.2mm

Breite

9.45 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolSiC MOSFET G2 im D2PAK-7-Gehäuse baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie auf und ermöglicht ein beschleunigtes Systemdesign für kostenoptimierte, effiziente, kompakte und zuverlässige Lösungen. Die Generation 2 zeichnet sich durch erhebliche Verbesserungen bei den Leistungsmerkmalen sowohl für den hart schaltenden Betrieb als auch für weich schaltende Topologien aus und eignet sich für alle gängigen Kombinationen von AC-DC-, DC-DC- und DC-AC-Stufen.

Ermöglicht Stücklisteneinsparungen

Höchste Zuverlässigkeit

Ermöglicht höchste Effizienz und Leistungsdichte

Einfache Bedienung

Volle Kompatibilität mit bestehenden Anbietern

Ermöglicht Designs ohne Lüfter oder Kühlkörper

Verwandte Links