Infineon IMBG65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 68 A, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R026M2H

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RS Best.-Nr.:
351-962
Herst. Teile-Nr.:
IMBG65R026M2H
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

68A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Ausgangsleistung

263W

Serie

IMBG65

Gehäusegröße

PG-TO263-7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.5mm

Normen/Zulassungen

JEDEC

Breite

9.45 mm

Länge

10.2mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolSiC MOSFET G2 im D2PAK-7-Gehäuse baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie auf und ermöglicht ein beschleunigtes Systemdesign für kostenoptimierte, effiziente, kompakte und zuverlässige Lösungen. Die Generation 2 zeichnet sich durch erhebliche Verbesserungen bei den Leistungsmerkmalen sowohl für den hart schaltenden Betrieb als auch für weich schaltende Topologien aus und eignet sich für alle gängigen Kombinationen von AC-DC-, DC-DC- und DC-AC-Stufen.

Ermöglicht Stücklisteneinsparungen

Höchste Zuverlässigkeit

Ermöglicht höchste Effizienz und Leistungsdichte

Einfache Bedienung

Volle Kompatibilität mit bestehenden Anbietern

Ermöglicht Designs ohne Lüfter oder Kühlkörper

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