STMicroelectronics IGBT / 200 A, 600 V 600 W, 4-Pin ISOTOP Typ N-Kanal Klemme

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Herst. Teile-Nr.:
STGE200NB60S
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

200A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

600W

Gehäusegröße

ISOTOP

Montageart

Klemme

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

4

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

ECOPACK, JESD97

Höhe

12.2mm

Breite

31.7 mm

Länge

38.2mm

Serie

Powermesh

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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