IXYS XPT-IGBT / 58 A, 1200 V 195 W, 3-Pin ISOPLUS247 Typ N-Kanal Leiterplattenmontage

Alle IGBT anzeigen
Eingestellt
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
808-0215
Distrelec-Artikelnummer:
302-53-265
Herst. Teile-Nr.:
IXA37IF1200HJ
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Produkt Typ

XPT-IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

58A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

195W

Gehäusegröße

ISOPLUS247

Montageart

Leiterplattenmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

70ns

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.8V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Länge

20.6mm

Normen/Zulassungen

Epoxy meets UL 94V-0, IEC 60747, RoHS

Serie

Planar

Automobilstandard

Nein

IGBTs, diskret, Serie IXYS XPT


Die diskreten IGBTs der XPT™-Serie von IXYS zeichnen sich durch die Dünnwafer-Technologie Extreme-light Punch-Through aus, mit welcher der Wärmewiderstand und Energieverluste verringert werden können. Die Geräte sorgen für kurze Schaltzeiten bei geringem Tailstrom und sind in mehreren Gehäusen in proprietärer Ausführung erhältlich, die Industriestandards entsprechen.

Hohe Leistungsdichte und niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Quadratische, sichere Betriebsbereiche für Sperrvorspannung (RBSOA) bis zu ausgelegter Durchschlagsspannung

10 μs lange Kurzschlussauslösung

Positiver Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung

Individuell verpackte (optional) Sonic-FRD™- oder HiPerFRED™-Dioden

Hochspannungsgehäuse in proprietärer Ausführung gemäß internationaler Normen

IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links