IXYS XPT-IGBT-Modul / 450 A, 1200 V 2100 W, 11-Pin SimBus F Typ N-Kanal Leiterplattenmontage

Alle IGBT anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
124-0712
Herst. Teile-Nr.:
MIXA450PF1200TSF
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

450A

Produkt Typ

XPT-IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

2100W

Anzahl an Transistoren

2

Gehäusegröße

SimBus F

Montageart

Leiterplattenmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

11

Schaltgeschwindigkeit

85ns

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.8V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

152mm

Normen/Zulassungen

IEC 60747, RoHS

Serie

MIXA450PF1200TSF

Höhe

17mm

Automobilstandard

Nein

IGBT-Module IXYS


IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.