IXYS XPT-IGBT-Modul / 450 A, 1200 V 2100 W, 11-Pin SimBus F Typ N-Kanal Leiterplattenmontage
- RS Best.-Nr.:
- 146-1703
- Herst. Teile-Nr.:
- MIXA450PF1200TSF
- Marke:
- IXYS
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 450A | |
| Produkt Typ | XPT-IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2100W | |
| Gehäusegröße | SimBus F | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 11 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 85ns | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | MIXA450PF1200TSF | |
| Länge | 152mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60747, RoHS | |
| Höhe | 17mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 450A | ||
Produkt Typ XPT-IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2100W | ||
Gehäusegröße SimBus F | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 11 | ||
Schaltgeschwindigkeit 85ns | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.8V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie MIXA450PF1200TSF | ||
Länge 152mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 60747, RoHS | ||
Höhe 17mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
IGBT-Module IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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