Infineon IGBT-Modul / 450 A, 1200 V 1600 W

RS Best.-Nr.:: 244-5822
Herst. Teile-Nr.:: FF300R12KT4HOSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT-Modul / 450 A, 1200 V 1600 W

Zwischensumme (1 Schale mit 10 Stück)*

1.281,36 €

(ohne MwSt.)

1.524,82 €

(inkl. MwSt.)

Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück	Pro Stück	Pro Schale*
10 +	128,136 €	1.281,36 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 244-5822
Herst. Teile-Nr.:: FF300R12KT4HOSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	IGBT-Modul
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	450A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	1200V
	Maximale Verlustleistung Pd	1600W
	Anzahl an Transistoren	2
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	2.15V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	61.4mm
	Länge	106.4mm
	Normen/Zulassungen	No
	Serie	FF
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ IGBT-Modul
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 450A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V
	Maximale Verlustleistung Pd 1600W
	Anzahl an Transistoren 2
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.15V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 61.4mm
	Länge 106.4mm
	Normen/Zulassungen No
	Serie FF
	Automobilstandard Nein

Datasheet - FF300R12KT4HOSA1

FF-IGBT-Modul von Infineon, 1200 V Kollektor-Emitter-Spannung, 450 A Kollektorstrom – FF300R12KT4HOSA1

Dieses IGBT-Modul ist ein Leistungshalbleitergerät, das zum Schalten und Steuern von Hochspannungs-Gleichstromkreisen in industriellen Stromversorgungssystemen entwickelt wurde. Er kombiniert zwei Transistoren in einem einzigen Gehäuse, um hohe Stromlasten zu bewältigen, und arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle thermische Umgebungen geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:

• 1200 V Blockierfähigkeit für Hochspannungsschaltanwendungen
• 450 A kontinuierlicher Kollektorstrom zur Unterstützung hoher Stromanforderungen
• Maximale Verlustleistung von 1600 W für dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• Niedrige Vce(sat) von 2,15 V für geringere Leitungsverluste
• Maximale Gate-Emitter-Nennleistung von 20 V zur Definition von sicheren Antriebsgrenzwerten
• Betriebstemperatur bis zu 175 °C für Installationen mit erhöhter Temperatur

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochspannungs-Motorantriebssysteme
• Ideal für industrielle Wechselrichter, die hohe Ströme erfordern
• Kann für Wandlerstufen für erneuerbare Energien verwendet werden
• Wird mit Netzteilen verwendet, die kompakte Dual-Transistoren benötigen
• Anwendbar in Umgebungen der Traktions- oder Versorgungselektronik

Welche Transistorkonfiguration bietet er?

Es enthält zwei aufeinander abgestimmte Transistoren in einem einzigen Modul, die synchrone oder komplementäre Schaltanordnungen ermöglichen.

Welchen extremen Umgebungsbedingungen kann er standhalten?

Er ist für den Betrieb bis zu -40 °C und bis zu 175 °C ausgelegt und eignet sich für den Einsatz in weiten Temperaturbereichen.

Wie wirkt sich die Begrenzung des Gate-Emitters auf die Antriebsschaltkreise aus?

Die Gate-Emitter-Grenzspannung von 20 V definiert die maximal zulässige Gate-Drive-Spannung und bestimmt den erforderlichen Gate-Drive-Schutz und die Pegelverschiebung.

Welche elektrischen Belastungsgrenzwerte sollten Entwickler beachten?

Die Entwickler müssen bei der Planung des Wärmemanagements einen Kollektor-Emitter-Sperrschwellenwert von 1200 V und eine Gehäusedeckel von 1600 W berücksichtigen.