Teile-Nr.

Infineon IGBT-Modul / 450 A, 1200 V 1600 W

RS Best.-Nr.:: 244-5822
Herst. Teile-Nr.:: FF300R12KT4HOSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT-Modul / 450 A, 1200 V 1600 W

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RS Best.-Nr.:: 244-5822
Herst. Teile-Nr.:: FF300R12KT4HOSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	450A
	Produkt Typ	IGBT-Modul
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	1200V
	Anzahl an Transistoren	2
	Maximale Verlustleistung Pd	1600W
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	2.15V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Serie	FF
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 450A
	Produkt Typ IGBT-Modul
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V
	Anzahl an Transistoren 2
	Maximale Verlustleistung Pd 1600W
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.15V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Serie FF
	Automobilstandard Nein

Datasheet - FF300R12KT4HOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 1600 W, maximum gate threshold voltage is 6,4 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)

Gate-emitter peak voltage + /- 20 V

Collector-emitter saturation voltage 2,15 V

Gate-emitter leakage current 400 nA

Infineon IGBT-Modul / 450 A, 1200 V 1600 W

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